美光科技指出，人工智能基础设施对高端半导体的需求激增，正引发一场“史无前例”的内存芯片短缺。该公司警告，这一供应紧张局面在过去季度持续加剧，并将延续至2026年之后。
美光运营执行副总裁Manish Bhatia表示，AI加速器所需的高带宽内存（HBM）“消耗了行业绝大部分可用产能，导致手机、个人电脑等传统领域面临严重短缺”。
芯片短缺已产生连锁反应。据界面报道，由于内存成本上涨，小米、Oppo及传音控股等主要手机制造商已下调2026年出货目标，其中Oppo预测降幅高达20%。行业机构Counterpoint Research此前估计，因存储芯片成本上升与产能挤压，2026年全球智能手机出货量可能下降2.1%。
影响范围正持续扩大，戴尔等个人电脑制造商也已预警可能受短缺冲击。与此同时，消费电子、自动驾驶及人形机器人等领域对存储芯片的需求仍在攀升，多家厂商已开始争夺2026年之后的产能供应。
AI需求重塑供应格局全球三大内存芯片巨头美光、SK海力士与三星电子股价在2025年因AI需求爆发而大幅上涨。SK海力士透露，公司2026年的芯片产能已全部售罄；美光也表示，其面向AI的高端内存产品在今年内已被预订一空。过去一年，美光股价涨超231.6%。
为优先保障英伟达等战略客户的供应，美光于去年12月宣布将终止旗下广受欢迎的消费级内存品牌Crucial的业务。DRAM作为构建高带宽内存（HBM）的核心，为英伟达、英特尔等公司的先进处理器提供关键的运算环境，是确保AI加速器高效运行的重要基础。
加速扩张产能AI行业对内存芯片的巨大需求，正加速美光在美国与亚洲的产能扩张进程。周六，美光宣布计划斥资18亿美元收购中国台湾一处现有工厂的厂址，该地区是这家总部位于爱达荷州博伊西的芯片制造商的关键生产基地。
此举将显著缩短新工厂的建设周期。公司预计将于2027年下半年实现大规模DRAM晶圆产出。美光运营执行副总裁Manish Bhatia在周五的采访中指出，
“我们在亚洲的厂址将继续向下一代技术演进，而新增的晶圆产能则将主要集中于美国本土。”
目前，美光正推进多项大型建厂计划：其在纽约州锡拉丘兹附近斥资1000亿美元的项目将建设四座DRAM晶圆厂，每座规模约相当于十个足球场，首批晶圆计划于2030年下线。同时，公司正在博伊西的现有研发设施旁扩建两座晶圆厂，其中首座爱达荷工厂预计2027年投产，第二座已在规划中。此外，弗吉尼亚州的现有制造设施也在进行现代化改造与产能提升。
这些投资是美光承诺将40%的DRAM制造转移至美国本土的重要组成，该目标得到了2024年获得的62亿美元《芯片法案》拨款支持，同时在建设期间还可享受35%的税收抵免优惠。
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